你当前的位置 主页 > 产品案例 >
产品案例
高亮度LED关键技术MOCVD发展
来源:http://www.jgjjl.com 编辑:www.kb88.com 2018-10-17 15:50

  高亮度LED关键技术MOCVD发展

   因为新使用规模激起的驱动, LED 技能快速地前进。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光设备是当今高亮度LED的要害使用,为即将制作的很多LED发明需求。除了数量方面之外,这种LED也有必要满意关于功能和本钱的严厉要求。因而,出产技能对LED制作商的成功而言很重要,超出了以往任何时分。

  高亮度LED的要害制作技能之一是 MOCVD 技能。因为整个竖式LED结构选用MOCVD技能成长,这种技能不只是决议LED的质量和功能,而且在很大程度上决议LED制作的产值和本钱。因而,MOCVD出产率的优化和营运本钱的削减是MOCVD体系制作商的一个要害方针。影响MOCVD工艺的出产率和本钱的准确参数剖析是任何改进尽力的条件。经过这种剖析,咱们发现产率(每单位时刻出产的晶圆面积)和产值是要害特性。

  经过选用更大的晶圆尺度改进产率(4英寸和6英寸)

  一切LED(蓝、绿或白光的LED)的首要部分是以GaN/InGaN/AlGaN资料为基矗到目前为止,大部分LED都是在2英寸蓝宝石衬底上制作的。因而,近年以来,MOCVD产率的任何发展都是经过添加MOCVD反响炉的载荷量而取得。当时GaN/InGaN/AlGaN成长的最盛行MOCVD体系是行星反响炉和近耦合喷淋头式反响炉,别离供应42片2英寸和31片2英寸两种晶圆。这些转化成令人难忘的高产率和低具有本钱。但是,这经过改变成较大晶圆尺度而进一步改进。在这个时分,一些首要LED制作商现已开端转入4英寸,而且大部分其他的制作商计划进行相同的改变。因为MOCVD东西现已具有合适大尺度晶圆成长的才能,这个决议是很简单的。

   在上述提及的MOCVD体系中,从2英寸到4英寸(乃至6英寸)晶圆的改变能够只是经过替换MOCVD反响炉中的一些部件装备很简单地完结。但是首要的反响腔和部件将坚持相同,因而使调整硬件和工艺的需求减到最校经过这样做,比方行星反响炉,能够从一个42x2 设置转化成一个11x4或6x6类型。尽管这样变换的本钱相对低,但是在产率方面有显着的效益。为了取得定量的了解,核算相当于不同晶圆直径的满晶圆负荷的总晶圆面积是有协助的。42x2 装备相当于851 cm2。变换成11x4 或 6x6 别离发生891 cm2和1094 cm2的晶圆面积。人社部:招聘平台发布虚假招聘信息可被吊销许可,能够从这些数字核算产率的相对添加。别的,有必要考虑到外部几毫米一般扫除在可用晶圆面积之外。假如挑选了较大晶圆面积,那么已扫除面积占总晶圆面积的百分数显着更低。

   但是上面评论的产率添加,并不是添加MOCVD体系出产率的仅有办法。一起,外延片的均匀性有必要改进到保证LED工艺的最高芯片成品率的一个水平。从MOCVD反响炉的规划方面来说,这有必要转化成一些特定要求。因为MOCVD RUN的均匀性首要是由杰出操控的气相动力学和共同的温度散布决议,有必要挑选稳健规划,才能以正确的方法来操控这两个参数。

  在行星式反响炉中,决议气相动力学的要害设备之一是喷嘴。为了取得最大稳定性和调整均匀性的才能到达最大,开发了特别的喷嘴。三束流喷嘴有三个分隔的灌水区域,不只答应独登时注入第III组和第V组气体,而且供给在上面的一个额定吹扫气流。这种层流注入气体防止任何类型的再流转,使之没有沉淀物。此外,经过调整上部气流,以允许微调成长的均匀性。喷嘴的规划也保证注入几何体坚持固定而且气体以一种严厉水平的方法注入。这意味着不需求机械调整,以取得杰出的和可重复的均匀性。

  

   高亮度LEDMOCVD发展